Intel, uzun bir aradan sonra bellek pazarına iddialı bir dönüş yapmaya hazırlanıyor. Şirket, SoftBank iştiraki Saimemory ile ortaklaşa geliştirdiği yeni bellek teknolojisinin prototipini ilk kez gün yüzüne çıkardı. Z-Angle Memory (ZAM) adı verilen bu yeni çözüm, özellikle HBM’in (Yüksek Bant Genişlikli Bellek) pazardaki mevcut hakimiyetine güçlü bir alternatif oluşturmayı ve tekelleşmeyi kırmayı amaçlıyor.
Japonya’da gerçekleştirilen Intel Connection Japan 2026 etkinliğinde sahneye çıkan teknoloji devi, ZAM teknolojisinin ilk resmi gösterimini yaptı. Etkinliğe Intel’in üst düzey yöneticilerinden Joshua Fryman ve Intel Japonya CEO’su Makoto Onho’nun katılması, şirketin bu projeye ne kadar önem verdiğini açıkça gösteriyor. Daha önce sadece teknik makalelerde ve basın bültenlerinde adı geçen bu teknoloji, artık somut bir prototip olarak karşımızda duruyor.
ZAM teknolojisinin en ayırt edici özelliği, bağlantıların kalıp yığını içinde klasik yöntemlerde olduğu gibi düz bir şekilde aşağıya inmek yerine çapraz olarak yönlendirildiği kademeli bir mimari kullanmasıdır. Intel’e göre bu yapısal değişiklik, mevcut bellek çözümlerinde sıkça karşılaşılan performans darboğazlarını ve yüksek ısınma sorunlarını çözmek adına büyük bir avantaj sağlıyor.
Paylaşılan pazarlama verilerine göre Z-Angle bellek projesi, rakibi HBM ile kıyaslandığında yüzde 40 ila 50 oranında daha düşük güç tüketimi vaat ediyor. Ayrıca Z-Angle ara bağlantıları sayesinde üretim sürecinin daha basit hale geleceği ve yonga başına depolama kapasitesinin 512 GB’a kadar çıkabileceği belirtiliyor. Intel’in projedeki rolü şimdilik ilk yatırım ve stratejik kararlar olarak tanımlansa da hedeflerin oldukça büyük olduğu görülüyor.
Intel’in HBM teknolojisine rakip olarak geliştirdiği bu yeni ZAM bellek teknolojisi ve sunduğu güç tasarrufu verileri hakkında siz neler düşünüyorsunuz?
